型  号：研制


负责人：陈仁德
电   话：0574-86685036

主要参数：
► 等离子体源: Filtering vacuum arc, metal arc, HIPIMS sputtering, DC sputtering.
► 本底真空：<1.0×10-5Torr
► 沉积室尺寸：Φ600×600mm
► 基片台：6 axels with revolution and rotation (Speed :0～10rpm)
► 偏压：DC bipolar pulse( ~350KHZ, ~600V), RF (13.56MHz, 2.5KW)

用途：
可在多种不同衬底上，低温、大面积制备纳米结构超高性能的光滑ta-C, CrN, TiN, TiAlN 等硬质涂层和功能涂层（金属、化合物等）。