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双弯曲磁过滤电弧院重大装备研制项目验收
日期:2012-03-01, 查看:3261

 

  2010年6月22-23日,汪爱英研究员承担的中国科学院重大科研装备研制项目—“双弯曲磁过滤阴极电弧复合磁控溅射镀膜装置”,顺利通过了中国科学院计划财务局组织的专家验收。验收组由来自沈阳科仪、中科院物理所、兰化所、固体所、金属所等有关单位的专家组成。

  验收会上,汪爱英研究员向专家组做了项目研制工作、经费决算和用户使用报告。技术测试组从研制装备的运行、使用情况和重点开展的技术测试实验结果角度,做了技术测试报告。验收专家组现场考察了研制的装备系统并审核了相关技术资料,进行了认真提问和讨论,认为项目组完成并部分超过了合同书规定的各项指标内容,验收材料齐全,经费使用合理,一致同意通过验收。

  专家组对该项目完成情况也给予了较高评价,指出该研制装备不仅为宁波材料所更好完成高性能碳膜材料研究工作提供了良好技术平台,而且项目执行过程中与区域特色企业的紧密结合,也为促进我院重大科研装备成果的进一步工程应用发挥了积极作用。

项目背景介绍:

  目前,具有高离化率、高沉积速率的阴极电弧沉积技术(CVA)是沉积ta-C超硬碳膜的主要方法,但制备过程中存在的宏观大颗粒协同沉积和薄膜中的高残余应力关键问题,使其广泛应用受到极大限制。国内外采用不同结构设计的磁过滤技术虽在一定程度上可缓解大颗粒的污染问题,但在沉积速率和设备复杂度等方面尚存在不足。在2008年院装备研制项目资助下,项目组通过系统理论计算、优化结构设计、关键部件选型与加工等大量工作,成功研制出了一套具有我国自主知识产权的运行可靠、先进的双弯曲磁过滤阴极真空电弧复合磁控溅射沉积装置。该装置兼具宏观大颗粒过滤有效、等离子体传输高效、大面积均匀低温沉积的优点,而且结合研制的技术成熟、易于实现金属沉积的磁控溅射复合技术特点,通过工艺参数调控,采用该装置能够可控制备出不同结构、功能设计的高性能薄膜材料。目前,项目组已制备出超硬(64GPa)、强膜基结合力(60N)、低应力(<6GPa)、低摩擦系数(0.1)、表面光滑的高质量ta-C碳膜材料,掌握了超薄ta-C碳膜可控技术,并实现了溅射制备超硬TiN(47GPa)薄膜材料工艺技术新突破。

  该装备的研制成功,不仅为我所承担的相关碳膜科研任务提供了重要的技术平台支持,也将进一步推动MEMS、信息存储、航空航天等高技术领域用高质量碳膜、金属(化合物)薄膜材料技术的发展。

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